光刻机 Lithography machine
设备管理员: 李思超
仪器简介: 紫外曝光分辨率:小于0.8μm。 加工基板尺寸:非标尺寸碎片至最大4英寸圆片,厚度0.1mm到1mm 。 掩膜板尺寸:3英寸至5英寸(边长)。 对准范围:...
原子层沉积(ALD)
设备管理员: 李思超
仪器简介: 加工基片仅限:硅片、GaN、二维材料。 沉积温度:25°C到500°C。高于300°C需使用热法盖子,并且在真空环境下降温到300°C以下才能开手套箱闸门。 ...
化学气相沉积(CVD)
设备管理员: 黄明强
仪器简介: LPCVD系统,通过控制气体流量和腔体温度,达到石墨烯的可控生长的目的。
CVD
设备管理员: 黄明强
仪器简介: LPCVD系统,通过控制气体流量和腔体温度,达到石墨烯的可控生长的目的。
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