微纳器件研究课题组简介

随着CMOS技术节点按比例缩小（scaling）逐渐走向终结，以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将受到挑战。随着物联网、云计算、可穿戴设备、人工智能等新兴信息产业走向成熟，以功耗驱动为中心的集成电路技术将迎来极大的发展。为此，必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求。探索新器件技术、寻找硅材料的替代者进而延续和拓展摩尔定律成为科学界和工业界共同关注的热点问题。

面临着这些挑战与机遇，微纳器件研究课题组及团队成立于2012年, 以国家脉冲强磁场科学中心（筹）为依托。课题组现有教师2名。目前课题组在读博士研究生9名，硕士研究生10名，秘书1名。主要研究后摩尔时代新器件，包括新型逻辑器件、仿生神经形态器件、射频器件、隧穿器件以及柔性电子器件。现已建成国内一流的微纳加工平台，其中千级和百级超净间的面积约400平方米。具备10nm至微米级微纳器件的加工能力，包括光刻、薄膜沉积、刻蚀以及器件表征等各方面的设备，是一个进行高水平科研的研究平台和一个培养高素质创新型人才的育人平台。

课题组重视学生的科研基本功，看重每个学生的个人成长，重点培养学生的科研基础水平和解决实际问题的能力。热烈欢迎脚踏实地、对科研有热情的电子、物理、化学、材料背景的同学加入我们课题组！