- 光刻机 Lithography machine
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仪器简介： 紫外曝光分辨率：小于0.8μm。 加工基板尺寸：非标尺寸碎片至最大4英寸圆片，厚度0.1mm到1mm 。 掩膜板尺寸：3英寸至5英寸（边长）。 对准范围：...
- 原子层沉积（ALD）
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仪器简介： 加工基片仅限：硅片、GaN、二维材料。 沉积温度：25°C到500°C。高于300°C需使用热法盖子，并且在真空环境下降温到300°C以下才能开手套箱闸门。 ...
- 化学气相沉积（CVD）
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仪器简介： LPCVD系统，通过控制气体流量和腔体温度，达到石墨烯的可控生长的目的。
- CVD
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仪器简介： LPCVD系统，通过控制气体流量和腔体温度，达到石墨烯的可控生长的目的。