原子层沉积

仪器简介： 加工基片仅限：硅片、GaN、二维材料。 沉积温度：25°C到500°C。高于300°C需使用热法盖子，并且在真空环境下降温到300°C以下才能开手套箱闸门。 前驱体：TMA、TEMAHf、TiCl4、TDMAS、Be[Et]2。 氧化物：氧气、等离子体氧、去离子水、臭氧。 氮化物：氨气、等离子体氨。 沉积薄膜：Al2O3、HfO2、BeO、AlN、TiN、SiO2、TiO2以及以上材料的任意堆叠或者混合多元化合物。