贝纳尔堆叠双层石墨烯的低频噪声特性

2020年3月19日，《美国化学会—应用材料与界面》（ACS Applied Materials & Interfaces）刊发了国家脉冲强磁场科学中心吴燕庆教授课题组的关于贝纳尔堆叠双层石墨烯低频噪声特性的研究成果。该论文标题为“Tunable 1/f Noise in CVD Bernal-Stacked Bilayer Graphene Transistors”，吴燕庆教授为论文通讯作者，光电学院2015级博士生田猛串为第一作者，其余作者包括课题组成员胡倩澜，谷承儒，熊雄，张振丰与李学飞。

       石墨烯材料超高的迁移率使其在低噪声器件方面有着巨大的应用潜能。实验发现双层石墨烯器件比单层石墨烯器件的噪声水平更低。在本工作中，我们研究了以原子层沉积生长双栅介质和以化学气相沉积贝纳尔堆叠双层石墨烯为沟道材料的双栅器件的低频噪声特性。测试结果表明不同背栅偏压下器件的归一化噪声谱密度和顶栅电压之间均为M型关系，且这种依赖关系可以很好地用charge-noise模型来解释。在常温且频率为10  Hz时，器件的面积归一化噪声谱密度低至3×10^-10  μm²/Hz，是文献报道中石墨烯噪声水平的最优结果之一。

文章链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.9b21070