基于原子层沉积工艺的高性能柔性氧化锌薄膜晶体管

2019年2月29日，微电子器件领域国际顶级学术期刊《IEEE Electron Device Letters》刊发了国家脉冲强磁场科学中心吴燕庆教授课题组基于原子层沉积工艺的高性能柔性氧化锌薄膜晶体管的研究成果。该论文标题为“High-Performance Flexible ZnO Thin-Film Transistors by Atomic Layer Deposition”。吴燕庆教授为论文通讯作者，光电学院2016级博士生王梦飞为第一作者，其余作者包括课题组成员李学飞，熊雄，宋健，谷承儒，詹丹，胡倩澜和李晟曼。

氧化锌薄膜晶体管在柔性领域的应用研究越来越火热，然而如何同时实现高迁移率和高弯曲稳定性仍然是亟待解决的问题。针对这一问题，我们采用原子层沉积工艺制备柔性器件的栅介质层和沟道层。基于原子层沉积工艺，我们在低温下沉积了大面积均一高质量的介电和沟道材料，并获得了很好的材料界面。器件迁移率达到13cm²/V.s，开关比为1.5*10^8.。在动态弯曲测试中，器件在0.63%的拉伸应变下承受住了200,000次的弯曲。在静态弯曲测试中，器件承受住了2.08%的静态拉伸应变。在高温测试中，器件在保持0.78%的静态拉伸应变下温度逐渐从20℃升到140℃，在升温过程中器件一直保持非常稳定的性能。

文章链接：https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8629034