界面工程提高黑磷晶体管的性能和可靠性

2018年12月12日，《美国化学会—应用材料与界面》（ACS Applied Materials & Interfaces）刊发了国家脉冲强磁场科学中心吴燕庆教授课题组和化工学院解孝林教授课题组的关于利用界面工程提高黑磷晶体管的性能和可靠性的研究成果。该论文标题为“Performance and Reliability Improvement under High Current Densities in Black Phosphorus Transistors by Interface Engineering”。

黑磷是一种高迁移率的二维半导体材料。由于黑磷容易与水和氧发生反应形成磷的氧化物，导致其性能严重下降。因此，如何避免黑磷表面氧化提高黑磷晶体管的性能是研究领域的热点和难点。针对这个问题，我们开发了一种新型的疏水的高分子材料，通过旋涂在黑磷器件表面，可以有效地提高器件的开关比和稳定性。对于沟长为0.16微米的器件，击穿电压可以达到-5.5 V，输出电流达到1.2 mA/μm。

文章链接：https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acsami.8b16507