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高性能的硫化钼双栅晶体管

作者:LXF 发布于:2019年2月22日

相比与零带隙的石墨烯, MoS2具有可调控的带隙,在降低晶体管功率损耗方面具有很大的优势,是下一代CMOS器件的热门候选材料。由于具有原子级的厚度,高的开关比以及优异的饱和特性,二硫化钼射频晶体管引起了人们的广泛关注。在硫化钼双栅器件中,研究发现背栅电压可以有效调节顶栅器件费米能级的移动,有效地减小顶栅器件的接触电阻和低频噪声。背栅电压为20 V时,1微米沟长的器件的最大驱动电流为588 μA/μm,低频噪声降低了5倍,接触电阻减小了两倍。同时,在1微米沟长的顶栅器件中,我们观测到了负阻现象,这主要是由于声子散射造成的,使用高介电Al2O3/HfO2 栅介质有效地减小了负阻现象,提高了器件的稳定性。该结果对硫化钼的进一步开发和应用具有重要的理论和实际意义。此项研究成果发表于IEEE Electron Device Lett., 2018, 39, 131.ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9, 44602.


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