熔融玻璃上生长单层二硫化钼及其高性能晶体管的研究
作者：zzf 发布于：2018年11月22日
2018年11月14日，《应用物理学快报》（Applied Physics Letters）刊发了国家脉冲强磁场科学中心吴燕庆教授课题组的关于高性能二硫化钼晶体管的研究成果。该论文标题为“High-performance transistors based on monolayer CVD MoS2 grown on molten glass”，吴燕庆教授为论文通讯作者，光电学院2015级博士生张振丰为第一作者，其余作者包括课题组成员徐晓乐，宋健，高庆国，李思超，胡倩澜，李学飞。
过渡金属硫属化物（TMDCs）是一种新兴的二维材料，在下一代电子产品中具有巨大的应用潜力。目前面对的挑战之一是如何实现大面积、高迁移率的TMDCs薄膜，这对于沟道材料至关重要。本工作中，我们通过改进的常压化学气相沉积（APCVD），在熔融玻璃衬底上生长出了大面积二硫化钼（MoS2）单晶，单晶尺寸达到563 μm。使用HfLaO衬底实现了更好的界面质量，迁移率室温下达到24 cm2V-1s-1，20 K下达到84 cm2V-1s-1。此种低成本生长高质量、大单晶二维材料的方法，为未来高性能二维电子器件提供了道路。
文章链接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5051781
