双极性黑磷晶体管的噪声机理研究
作者:x.x. 发布于:2016年3月19日
今年2月14日,英国皇家化学学会旗下学术期刊Nanoscale(DOI: 10.1039/C5NR06647F)在线刊发了吴燕庆团队的另一篇论文《双极性黑磷晶体管的噪声机理研究》(Mechanisms of current fluctuation in ambipolar black phosphorus
field-effect transistors)。通过噪声测试手段在不同温度下对双极性黑磷晶体管的电学输运和噪声机理进行了研究。结果表明黑磷晶体管表现出双极性输运特性,其p型黑磷晶体管的噪声机制为载流子浓度,而n型黑磷晶体管的噪声机制是迁移率涨落。该结果对层状黑磷半导体的进一步开发和应用具有重要的理论和实际意义。
更多内容见:http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/nr/c5nr06647f